如何使用掃描電鏡獲取*的陶瓷類樣品圖像?飛納電鏡與你一起,多角度分析這個問題。
(a)(b)
圖1 同類陶瓷相同電壓不同電流的對比
(a)10kV 電流Low 放大倍數(shù)500×
(b)10kV 電流Image 放大倍數(shù)350×
圖1顯示了同一類樣品在相同電壓、不同電流模式下的對比圖??梢钥闯觯S著電流的增加圖像的細(xì)膩度增加,信噪比增加,圖像質(zhì)量上升了。這主要是由于相同加速電壓下,當(dāng)增加電子束電流之后,有更多的電子跟樣品發(fā)生相互作用,電子束在單像素停留時,有更多電子和樣品發(fā)生相互作用,探頭接受了更多的BSD信號;另一方面,圖像中單像素范圍內(nèi)電子束與樣品的相互作用范圍增大,相鄰像素的電子束作用范圍重合度增加,這樣一來單像素的灰度值與鄰近像素的灰度值更趨于接近,灰度變化曲線的平滑性更好,給人一種細(xì)膩的視覺感受。對應(yīng)的劣勢也很明顯,增加電流之后,電子束變粗,分辨率略有下降。
(a)(b)
圖2 同類陶瓷相同電流不同電壓下的對比
(a)電壓5kV 放大倍數(shù)350×
(b)電壓15kV 放大倍數(shù)350×
圖2反映了相同電流不同加速電壓下的陶瓷樣品形貌對比,可以看出隨著加速電壓的增大,樣品表面的細(xì)節(jié)信息變少,尤其是紅色圓圈部分的zui表層黑色附著物,在低壓下可以輕松分辨,但是高壓下卻很難看到明顯的襯度差異。這種現(xiàn)象與傳統(tǒng)觀念中認(rèn)為的“電壓越高分辨率越高”似乎存在矛盾的地方,這是為什么呢?傳統(tǒng)上來講,根據(jù)量子力學(xué)定律
ΔE=hν=hc/λ
其中,ΔE為電子的能量變化,h為普朗克常數(shù),c為光速,ν為電子的頻率,λ為電子波長。電子被加速的能量越高,它具有的波長越小,也就是說圖2(b)中具有更小的電子束波長。再根據(jù)顯微鏡的分辨率d的理論計算公式
公式中,λ為電子束波長,α為孔徑半張角,n為透鏡和樣品之間介質(zhì)之間的折射率。分辨率跟波長成正比,d∝λ。這樣計算,圖2(a)的分辨率比圖2(b)要低一些。
圖3 電子束和樣品的相互作用區(qū)
但是實(shí)際上,不僅要考慮分辨率這個單一參數(shù),而且要綜合考慮電子束與樣品的相互作用,以能夠反映觀測者所需要的信息,為zui終衡量標(biāo)準(zhǔn)來判斷。圖3中反映的是電子束和樣品的相互作用區(qū)三維圖和示意圖,加速電壓越高,1~2μm的BSE信號產(chǎn)生區(qū)將會向下擴(kuò)展,也就意味著圖2(a)中包含了更多表面細(xì)節(jié)信息的信號,而圖2(b)中則包含了更多深層次信息,更表層的原子信息比例減少。這就解釋了圖2(b)中分辨率更高,反而細(xì)節(jié)信息更少的原因。這也是為什么在采購電子顯微鏡時,往往不能只看zui高分辨率參數(shù)(雖然的確非常重要)的重要原因,一定要拿樣品實(shí)測。
(a)(b)
圖4 陶瓷粉體燒結(jié)后
(a)SED 放大倍數(shù)5000×
(b)BSD 放大倍數(shù)5000×
不光在背散射模式,同樣的,二次電子也有類似的情況。圖4反映的是二次電子和背散射模式的不同,體現(xiàn)了形貌襯度和成分襯度的差異。根據(jù)實(shí)際需要選擇不同的模式,背散射更多反映成分襯度,有利于雜質(zhì)的識別、析出物的判斷等;二次電子模式更多反映表面形貌起伏,信號來自圖3中顯示的SE信號產(chǎn)生區(qū),在zui表層的約10nm范圍,適合于斷口失效分析、需要高分辨的納米材料研究等場合。
(a)(b)
圖5 陶瓷樣品同一位置照片結(jié)果
(a)BSD 放大倍數(shù)700×
(b)SED 放大倍數(shù)700×
圖5顯示了陶瓷樣品同一個位置的不同模式下的形貌圖,可以看出,背散射(圖a)圖片對鍍層之間的金屬層可以清晰區(qū)分,呈現(xiàn)亮白色,而二次電子模式則無法清晰區(qū)分,而且圖b中的二次電子模式有一定程度的荷電效應(yīng),對于樣品的導(dǎo)電性要求更高。低真空的背散射模式基本上能夠滿足大部分的測試需求。
(a)
(b)
(c)
圖6 飛納電鏡能譜分析 (a)點(diǎn)掃描 (b)線掃描 (c)面掃描
除了基本的形貌觀察之外,電鏡的一些選配件可以實(shí)現(xiàn)諸如能譜分析、EBSD、陰極熒光等其他角度的分析。其中zui常見的當(dāng)屬電鏡能譜分析(EDS),在圖6中可以看到,電鏡能譜分析的一般方式,即調(diào)整電壓和束流參數(shù)至合適,直接選點(diǎn)、劃線、框面進(jìn)行分析,數(shù)分鐘之后結(jié)果便一目了然。在陶瓷樣品中,經(jīng)常需要研究摻雜相的分布,比如均勻混合還是只分布于晶界,此時通過圖片顯然不能確定,加上微區(qū)成分信息的數(shù)據(jù),就有一錘定音的效果了。
(a)
(b)
圖7 (a)飛納電鏡自動全景拼圖軟件AIM
(b) 飛納電鏡孔徑統(tǒng)計分析測量系統(tǒng)PoroMetric
圖8 飛納電鏡3DRR三維粗糙度重建系統(tǒng)
圖7顯示的是根據(jù)大面積自動掃描后的拼圖結(jié)果,自動進(jìn)行大面積孔洞統(tǒng)計分析,用到的兩個軟件分別是自動拼圖AIM(Automated Image Mapping)和孔洞統(tǒng)計系統(tǒng)(PoroMetric)。這個過程幾乎不需要人工干預(yù),電鏡自動進(jìn)行采集圖片和大批量(1000張圖片)分析,自動化程度較高,統(tǒng)計結(jié)果是基于真實(shí)的圖片信息,結(jié)果更為可靠。圖8顯示的是樣品實(shí)時觀察位置的3D形貌,利用的軟件是三維粗糙度重建3DRR(3D Roughness Reconstruction),提供樣品表面粗糙度信息。
傳真:
地址:上海市閔行區(qū)虹橋鎮(zhèn)申濱路 88 號上海虹橋麗寶廣場 T5,705 室
版權(quán)所有 © 2018 復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司 備案號:滬ICP備12015467號-2 管理登陸 技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng) GoogleSitemap