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在2018 年之前，為何沒(méi)有看到使用肖特基場(chǎng)發(fā)射電子源（FEG）的臺(tái)式掃描電子顯微鏡（SEM）呢？為何在臺(tái)式掃描電鏡（SEM）中使用場(chǎng)發(fā)射電子源（FEG）是十分的呢?

當(dāng)臺(tái)式掃描電鏡遇見(jiàn)場(chǎng)發(fā)射電子源

臺(tái)式掃描電鏡（SEM）是一個(gè)相對(duì)年輕且發(fā)展迅速的產(chǎn)品。其實(shí)許多應(yīng)用領(lǐng)域并不需要使用低于1 nm 的超高分辨率掃描電鏡（SEM），10 nm 的分辨率是綽綽有余的。然而，由于材料特征點(diǎn)尺寸越來(lái)越小和觀測(cè)需求的增加，臺(tái)式掃描電鏡（SEM）用戶(hù)有時(shí)希望設(shè)備能夠具有更好的分辨率，并且保持測(cè)樣效率不變、操作依然簡(jiǎn)便。

飛納臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡的誕生

在設(shè)計(jì)新的掃描電鏡（SEM）時(shí)會(huì)出現(xiàn)諸多挑戰(zhàn)。通常，為了獲得更好的性能，新設(shè)備的規(guī)格需要更高的要求。另一個(gè)挑戰(zhàn)是新系統(tǒng)的出現(xiàn)，不會(huì)影響到飛納臺(tái)式掃描電鏡（SEM）的操作簡(jiǎn)便性。可以讓沒(méi)有掃描電鏡（SEM）操作經(jīng)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)室管理員能夠在短時(shí)間內(nèi)熟練操作電鏡。那么，當(dāng)飛納電鏡從CeB6電子源升級(jí)到FEG 電子源時(shí)，將面臨的挑戰(zhàn)是什么？

首先，需要分析掃描電鏡（SEM）電子源之間的差異。